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Si6413DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.030
0.024
0.018
V GS = 1.8 V
8000
6400
4800
C iss
0.012
V GS = 2.5 V
3200
0.006
V GS = 4.5 V
1600
C oss
C rss
0.000
0
0
6
12
18
24
30
0
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 8.8 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 8.8 A
0
14
28
42
56
70
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.06
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
T J = 150 °C
0.05
0.04
I D = 8.8 A
0.03
1
0.02
T J = 25 °C
0.01
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72084
S-80682-Rev. B, 31-Mar-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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